Diit.cz - Novinky a informace o hardware, software a internetu

MRAM paměťové moduly opět blíže realitě, vědci už umí jet na 2 GHz

MRAM paměťová buňka pod elektronovým mikroskopem
O MRAM (Magnetic RAM) už jsme si nějaký čas nepovídali, tak to pojďme napravit, když už se naskytla příležitost. Vědci z německého PTB přišli na to, jak zkrátit čas zápisu jedné MRAM paměťové buňky a dosáhnout tak s těmito paměťmi frekvence 2 GHz. MRAM se tak nejspíše zcela vyhne náhražce NAND flash pamětí a zaútočí rovnou na DRAM a SRAM. Vědci už jen čekají na přiklepnutí evropského patentu (americký už mají) a shání někoho, kdo by jim pomohl s finálními pracemi a mohl tyto paměti začít dle řádné licence vyrábět…

S paměťovými buňkami MRAM se to má tak, že existují určité fyzikální zákony, které se dosud nepodařilo „přelstít“. Čas nutný ke změně stavu jedné paměťové buňky MRAM byl doposud 2 ns, jakékoli snahy o zrychlení zápisu narazily na limity dané fyzikálními vlastnostmi buněk ukládajících informaci o stavu na bázi magnetické orientace. Při programování stavu totiž dochází nejen k magnetické stimulaci kýžené buňky, ale také poměrně velkého množství okolních buněk. Tyto stimulace (tzv. „magnetické zvonění“) jsou slabé a odeznívají po dvou nanosekundách, během nich však nemůže být prováděno žádné další programování. Výsledná rychlost je tedy pouze 400 MHz. Všechny dosavadní pokusy o zrychlení vyústily v nepřijatelnou chybovost zápisu.

Vylepšená metoda zápisu využívá tzv. „balistickou aktivaci bitů“ vyvinutou vědci z PTB spočívající v takovém způsobu vysílání magnetických impulzů, které okolní buňky prakticky neovlivňuje. Impulzy zajišťují, aby buňka, jejíž stav je potřeba změnit, otočila svou magnetickou polaritu o 180 °, zatímco buňka, jejíž stav je potřeba zachovat, provede magnetickou otočku o 360 °. V obou případech je magnetizace po odeznění impulzu v rovnováze a nedochází k další stimulaci buněk, Výhoda této metody spočívá právě ve skutečnosti, že funguje i s krátkými impulzy, pouze půl nanosekundy (500 ps). Tím je dosaženo taktu 2 GHz.

Ovšem zde to končit nemusí. Touto metodou lze totiž (na rozdíl od dosavadní) programovat i více buněk současně, čímž se dá řádově zvýšit efektivní rychlost zápisu. S těmito rychlostmi už se může MRAM postavit jako obstojný konkurent i klasickým DRAM pamětem a dokonce i SRAM (ty se používají obvykle jako cache). To vše s jednou nespornou výhodou oproti DRAM a SRAM: po ztrátě napájení se neztrácí datová informace.

Jsme velmi zvědavi, kdy se setkáme ať už s prvními datovými úložišti na bázi MRAM, nebo dokonce paměťmi, což ale bude vyžadovat změnu přístupu ze strany paměťových řadičů, protože ty si budou muset zvyknout na skutečnost, že paměť na ně připojená neztrácí data. Potenciální cílovou aplikací takových pamětí je počítač, který nebude nutné restartovat.

WIFT "WIFT" WIFT

Bývalý dlouholetý redaktor internetového magazínu CDR-Server / Deep in IT, který se věnoval psaní článků o IT a souvisejících věcech téměř od založení CD-R serveru. Od roku 2014 už psaní článků fakticky pověsil na hřebík.

více článků, blogů a informací o autorovi

Diskuse ke článku MRAM paměťové moduly opět blíže realitě, vědci už umí jet na 2 GHz

Pondělí, 14 Březen 2011 - 21:22 | Solitary | Vsak ono jedine, co nam dnes brani k tomu,...
Pondělí, 14 Březen 2011 - 10:32 | JVc | to stejny co s pevnym diskem v notebooku
Neděle, 13 Březen 2011 - 19:50 | Oldis | no doufam ze spis ta usb nez bezdrat, rad si...
Neděle, 13 Březen 2011 - 19:49 | Oldis | vyborne, predpokladam ze se to dostane i do...
Sobota, 12 Březen 2011 - 16:40 | Jan | takže mobil :) výstup na monitor už umí, akorát...
Sobota, 12 Březen 2011 - 16:38 | Jan | ty nemáš tlačítko reset? pokud ne, tak by byla...
Sobota, 12 Březen 2011 - 14:21 | petr ib | mno, mám odlišnou uživatelskou zkušenost : ve...
Sobota, 12 Březen 2011 - 01:48 | ptipi | Myslím, že jsi v tomhle trochu zaspal dobu. Na...
Pátek, 11 Březen 2011 - 22:11 | r23 | Tak zrovna TRIM bych nezatracoval na žádné SS...
Pátek, 11 Březen 2011 - 17:04 | Jacek Weglarz | Zadne porty, vse bude bezdratove.

Zobrazit diskusi