Samsung oznamuje, že jako první začal s výrobou 64Gbitových tříbitových MLC NAND flash pamětí 20nm-class technologií, tedy asi opravdu předběhl společnosti Intel a Micron, jež v srpnu oznámily, že TLC (Triple Level Cell), 3bps (3 bit per cell) nebo prostě tříbitové 64Gbitové NAND flash paměti na 25nm umí, ale výrobu chtějí rozjet do konce tohoto roku. Čtvrtým do party výrobců schopných takové paměti vyrobit je Toshiba, která na 24nm zvládá zatím jen 32 Gbitové TLC. I Samsung využívá, stejně jako Toshiba, možností Toggle DDR, takže by to mohly být paměti relativně rychlé, i když tento údaj se nikde v tiskové zprávě nevyskytuje. Doufáme jen, že to mají patentově vyřešené, abychom se zase nepotkali s nějakou tou žalobou.

Tyto čipy budou mít namířeno k výrobcům USB flash pamětí a SD karet, na své si přijdou i mobilní telefony. V podstatě budou mít za cíl nahradit paměť v zařízeních s nyní standardním 4GB datovým NAND flash úložištěm, která tak povýší na 8 GB.

Dodejme, že TLC jsou oproti MLC i SLC pomalejší a vydrží méně cyklů zápisu, což výrobcům mocně kompenzuje nižší výrobní cena. Jak moc to budou chápat i uživatelé, to ukáže až čas.