To, co jsme předběžně slyšeli z úst viceprezidenta společnosti, se nyní stává oficiální zprávou. TSMC skutečně chystá spuštění 45nm výrobního procesu od září tohoto roku. Slibuje tak zmenšení čipů oproti stávajícím technologiím o zhruba 40 % (nebo ekvivalentní nárůst schopností/počtu tranzistorů) za současně znatelně nižší spotřeby a vyšších pracovních frekvencí. Využití tak nalezne v širokém spektru produktů počínaje nízkoodběrovými čipy pro mobily/PDA a konče třeba GPU.

Technologicky firma využívá pokročilou 193nm imersní fotolitografii v kombinaci s extreme low-k (ELK) dielektrickými materiály a „napnutým křemíkem“ (strained silicon). Vzorově firma hovoří kupříkladu o čipu s půl miliardou tranzistorů v die velikosti 70 mm² (tedy cca. 8,3×8,3 mm). Jako první se očekává rozjezd výroby právě pomocí low-power 45nm procesu, později se mají přidat „general purpose“ (tedy univerzální) a „high performance“ (tedy pro vysoce výkonné čipy, ten nás bude zajímat minimálně z pohledu GPU ATI/nVidia). Všechny tři procesy nabídnou možnost napájení 1,8, 2,5 a 3,3 V dle přání zákazníka.