Paměti HBM přišly na trh v první polovině roku 2015. Vybaveny byly 1024bit rozhraním, což jim v podstatě zůstalo dodnes. Samsung plánoval přijít i s levnější variantou zvanou low-cost HBM, která by rozhraní zúžila na 512bit a částečně to kompenzovala vyššími takty, ale k tomu nikdy nedošlo. Z HBM se stal high-end, jehož použití není u produktů v cenové relaci kolem $1000 a méně rentabilní. 1024bit rozhraní tak zůstalo až doposud nezměněné a týká se i chystaných HBM3E. Výkon tudíž rostl s taktovacími frekvencemi. Z původního 1 Gb/s na 9,8 Gb/s u HBM3E, které zatím existují v podobě vzorků.

HBM4 přinesou zásadní změnu v podobě 2× širšího rozhraní, které z 1024bit šířky naroste na 2048bit. Rozteč spojů se bude muset zásadně snížit (z 55 µm) a počet spojů zásadně zvýšit (z aktuálních cca čtyř tisíc).

Samsung HBM

Vezmeme-li v potaz, že během následujících měsíců budou k dispozici 9,8Gb/s HBM3E, pak lze očekávat že při mírném evolučním zvyšování taktů v kombinaci se zdvojnásobením datového rozhraní bude s HBM4 dosažitelných přinejmenším 20Gb/s, čímž se propustnost HBM4 modulu dostane na zhruba 2,5 TB/s a zařízení s osmi moduly (což v té době bude v segmentu akcelerátorů obvyklé) pak na 20 TB/s.

U HBM4 se počítá s šestnácti úložnými vrstvami. O tomto množství se mluvilo již v souvislosti s HBM3(E), ale ani jeden z výrobců dosud takové řešení nenabízí a všichni končí na maximálně osmi vrstvách. Zatímco šestnáct tedy bude u třetí generace luxus, u čtvrté už půjde o standard.

Samsung by rád představil HBM4 v roce 2025, ale z dříve uniklé roadmapy (která je maluje na přelom roku 2025 a 2026) to vypadá skutečně jen na představení s reálnou dostupností spíše až v roce 2026.